Разработка и производство оборудования для тестирования Химических Источников Тока

  • График работы
    Пн. - Пт: 09.00 до 19.00
  • Пишите нам
    Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Звоните нам

+7 (977) 487-55-69

Транзисторы КТ827Б

Транзистор КТ827Б Транзистор КТ827Б

   Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления, защиты и автоматики. Транзисторы в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

   Масса транзистора не более 20 г.

Размеры корпуса и расположение выводов транзистора КТ827Б.

   Электрические параметры

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Условия

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

750

6000

18000

-

UКЭ = 3В, IК = 10А,

T = +25°С

750 - -  

UКЭ = 3В, IК = 10А,

T = TК.МАКС

100      

UКЭ = 3В, IК = 10А,

T = -60°С

100 700 3500 -

UКЭ = 3В, IК = 20А

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ

4

-

-

МГц

UКЭ = 3В, IК = 10А

Граничное напряжение

80

90

100

В

IК = 100мА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1

1.45

2

В

IК = 10А, IБ = 40мА

1.8 2.4 3 В IК = 20А, IБ = 200мА

Напряжение насыщения база-эмиттер

2.6

3

4

В

IК = 20А, IБ = 200мА

Входное напряжение база-эмиттер 1.6 2 2.8 В IК = 10А, UКЭ = 3В
Время включения 0.3 0.5 1 мкс

IК = 10А, IБ = 40мА

Время выключения 3 4 6 мкс

IК = 10А, IБ = 40мА

Время рассасывания 2 3 4.5 мкс

IК = 10А, IБ = 40мА

Обратный ток коллектор-эмиттер

-

-

3

мА

UКЭ = UКЭ R.МАКС,

RБЭ = 1кОм,

ТК = -60...+25°С

- - 5 мА

UКЭ = UКЭ R.МАКС,

RБЭ = 1кОм,

ТК = ТК.МАКС

Обратный ток эмиттера

-

-

2

мА

UЭБ = 5В

Емкость коллекторного перехода

200

260

400

пФ

UКБ = 10В

Емкость эмиттерного перехода

160

180

350

пФ

UЭБ = 5В

Тепловое сопротивление переход-корпус

-

1.4

-

°С/Вт

UКЭ = 10В, IК = 12.5А

   Предельные эксплуатационные параметры

Параметр

Мин.

Макс.

Единицы

Условия

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

- 80 В

RБЭ = 1кОм

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер

- 80 В

tФ = 0.2мкс

Постоянное напряжение база-эмиттер

-

5

В

 

Постоянный ток коллектора

-

20

А

 

Импульсный ток коллектора

-

40

А

 

Постоянный ток базы

-

0.5

А

 

Импульсный ток базы

-

0.8

А

 

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1

-

125

Вт

ТК = -60...+25°С
Температура p-n перехода - +200 °С  

Температура окружающей среды

-60

+100

°С

 

   1 При ТК ≥ +25°С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле PК.МАКС = (200 - ТК)/1.4, Вт.

   Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5мм от основания корпуса при температуре припоя не более +260°С в течение не более 3с.

   Допустимое значение статического потенциала 2кВ.

   Приобрести транзисторы КТ827Б можно в Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..

Яростанмаш

Наше предприятие специализируется на разработке и производстве приборов и оборудования для испытания различных химических источников тока (аккумуляторов, ионисторов, гальванических элементов и др.), в том числе изготавливаемого на заказ под индивидуальные требования.

2009-2024г.  © ООО "ЯРОСТАНМАШ"